Dysk SSD Samsung 9100 PRO Heatsink 1TB M.2 2280 PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 (14700/13300 MB/s)

Symbol: MZ-VAP1T0CW
1331.07
szt.
Program lojalnościowy dostępny jest tylko dla zalogowanych klientów.
Wysyłka w ciągu 24 godziny
Cena przesyłki 18
Paczkomaty InPost 18
Kurier 20
Dostępność 5 szt.
Waga 0.15 kg
Pojemność dysku: 1 TB

Format dysku: M.2 2280

Typ dysku: SSD

Typ kości pamięci: V-NAND

Technika zapisywania danych: TLC

Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak

Wsparcie dla technologii TRIM: Tak

Interfejs: M.2 PCIe NVMe

Prędkość odczytu (max): 14700 MB/s

Prędkość zapisu (max): 13300 MB/s

TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0

Odczyt losowy: 1850000 IOPS

Zapis losowy: 2600000 IOPS

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h

Informacje dodatkowe: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND TLC, Wymiary: Maks. 80.15 x Maks 25 x Maks 8.88mm (z Heatsinkiem), Waga: Maks. 28 g, Interfejs: PCIe5.0 x4 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (pół sinusa), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)

Gwarancja producenta [mies.]: 60
Pojemność dysku:
1 TB
Gwarancja producenta [mies.]:
60
Interfejs:
M.2 PCIe NVMe
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Prędkość odczytu (max):
14700 MB/s
Prędkość zapisu (max):
13300 MB/s
Technika zapisywania danych:
TLC
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Odczyt losowy:
1850000 IOPS
Zapis losowy:
2600000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND
TBW (ang. Total Bytes Written):
600.0

Dane producenta

SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland

0818 717 100
Ireland.SamsungSupport@exertis.com

Osoba odpowiedzialna

SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland

www.samsung.com/support